04.06.2024
DMG1013T-7
Характеристики DMG1013T-7
-
Серия-
-
ПроизводительDiodes Inc
-
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
-
FET FeatureLogic Level Gate
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs700 mOhm @ 350mA, 4.5V
-
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C460mA
-
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) @ Vgs0.622nC @ 4.5V
-
Input Capacitance (Ciss) @ Vds59.76pF @ 16V
-
Power - Max270mW
-
Тип монтажаSurface Mount
-
Исполнение / КорпусSOT-523
-
УпаковкаTape & Reel (TR)
Полная характеристикаСкрыть
Новости электроники
03.06.2024
03.06.2024